特許
J-GLOBAL ID：200903089186711749
炭素フィルムをスパタリングする方法及びその製造物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-077740
公開番号（公開出願番号）：特開平6-145975
出願日： 1993年03月10日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：
【要約】【目的】 小塊がターゲット表面に形成されることを防止し、スパタリング装置を連続して運転可能にすることを目的とする。【構成】 直流電力を炭素ターゲットに供給し、かつ前記炭素ターゲットの表面に小塊が形成されることを防止するべく、前記直流電力に交流電力を重畳する過程を有する。
請求項（抜粋）：
直流電力を炭素ターゲットに供給し、かつ前記炭素ターゲットの表面に小塊が形成されることを防止するべく、前記直流電力に交流電力を重畳する過程を有することを特徴とする炭素フィルムをスパタリングする方法。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, C23C 14/06
, G11B 5/84
, H01F 41/18
