特許

J-GLOBAL ID：200903089187292758

化学機械研磨方法及び装置

発明者： 衣 冠君 ,  陳 錫杰 ,  杜 文正 ,  陳 妙玲
出願人/特許権者： 台湾茂▲シイ▼電子股▲分▼有限公司
代理人 (1件)： 三枝 英二 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-057932
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126769
出願日： 1998年03月10日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】 化学機械研磨工程における研磨パッドの調整の改善技術を提供する。【解決手段】 研磨すべき薄膜を備えた半導体基板を準備し(ステップ201)、研磨前に研磨スラリー混合物を直接研磨表面に注入し(ステップ203)、研磨装置及び技術によりタングステン薄膜を研磨し(ステップ205)、この研磨により残留副産物を形成し(ステップ207)、多くのタングステン酸化物が研磨表面に付着する前に、研磨表面を調整し(ステップ209)、ステップ201に返る(ステップ211)。

請求項（抜粋）：

タングステン材を含む薄膜が被覆された半導体基板を準備するステップと、研磨パッド及び研磨スラリーを用いて前記薄膜を研磨するステップと、前記準備及び研磨ステップを繰り返して複数の半導体基板を製作し、これによりタングステン酸化物材を含んだ副産物を形成して前記研磨パッド上に残留させるステップと、水酸化アンモニウム溶液で前記研磨パッドを調整し、前記研磨パッドから大部分のタングステン酸化物材を除去するステップと、上記ステップを満足できる程度まで繰り返して行うステップと、を備えてなる化学機械研磨方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00

FI (4件)：

H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/00 A