特許

J-GLOBAL ID：200903089188015049

セラミック配線基板の製造方法

発明者： 中島 執蔵
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-054858
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244626
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 薄膜配線導体3に断線や剥離が発生しやすい。あるいは、メタライズビア導体2と薄膜配線導体3との接続を良好に行なうことができない。【解決手段】 主面に最大開口径が20μm以上、深さが10μm以上の空孔4を有する略平板状のセラミック基体1に、主面に一端が導出するメタライズビア導体2を形成するとともに空孔内に選択的にガラス5を溶融充填させ、しかる後、ガラス5を主面に沿って機械的に研磨しガラス5の頂面を主面と同一面となすとともにメタライズビア導体2に接続させる薄膜配線導体3を主面に被着させる。セラミック基体1主面の空孔4がガラス5により充填されるとともに、メタライズビア導体2がガラス5で覆われたりメタライズビア導体2とガラス5との間に段差が形成されるようなことがないので薄膜配線導体3に断線や剥離が発生することがなく、メタライズビア導体2と薄膜配線導体3とが良好に接続される。

請求項（抜粋）：

主面に最大開口径が20μm以上、深さが10μm以上の空孔を有する略平板状のセラミック基体に、前記主面に一端が導出するメタライズビア導体を形成するとともに前記空孔内に選択的にガラスを溶融充填させ、しかる後、前記ガラスを前記主面に沿って機械的に研磨し前記ガラスの頂面を前記主面と同一面となすとともに前記メタライズビア導体に接続させる薄膜配線導体を前記主面に被着させることを特徴とするセラミック配線基板の製造方法。

Fターム (9件)：

5E317AA24 ,  5E317BB04 ,  5E317BB11 ,  5E317CC22 ,  5E317CC25 ,  5E317CC31 ,  5E317CD01 ,  5E317CD40 ,  5E317GG05