半導体発光素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-021159
公開番号（公開出願番号）：特開平5-007016
出願日： 1991年02月14日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：

【要約】【目的】 SiC結晶を用いて高光度で青より短波長の発光ができる半導体発光素子を提供することを目的とする。【構成】六方晶型結晶構造を有する炭化珪素(SiC)からなる基板結晶11上に超格子構造の発光層12を形成した半導体発光素子において、基板結晶11の主面を(11-20)の面方位に設定し、且つ発光層12の超格子構造を基板結晶11の格子面間隔の2倍の周期に設定したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

六方晶型結晶構造を有する炭化珪素(SiC)からなる基板結晶と、この基板結晶上に形成された超格子構造の発光層とを具備し、前記基板結晶の主面を(11-20)又は(1-100)の面方位に設定し、且つ前記発光層の超格子構造を前記基板結晶の格子面間隔の偶数倍の周期に設定してなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , C30B 29/36

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭61-078189
特開昭63-207186
特開昭59-197187

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審査官引用 (10件)

特開昭50-059129
特開昭61-078189
特開昭61-078189

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