特許

J-GLOBAL ID：200903089196153078

絶縁膜の形成方法

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-086663
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283513
出願日： 1996年04月09日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 誘電率が低く耐熱性に優れる絶縁膜を、大口径基板上へも良好な均一性と平坦化特性をもって形成する。【解決手段】 高分子化合物を溶媒に溶解させた液状組成物を貯液タンク12から超音波ミスト化装置13へ送出してミスト化し、これをガスボンベ11から供給されるN2 ガスに乗せてシャワーヘッド2へ輸送し、ここから成膜チャンバ1内へ均一に放出させる。ここまでは、該高分子化合物のガラス転移温度より低い第1の温度域で行う。一方ウェハWは、上記高分子化合物のガラス転移温度以上,熱分解温度未満の第2の温度域に維持し、ウェハ面上での高分子被膜の形成と同時進行で溶媒を揮発させる。この方法により、耐熱性の発現に寄与する環構造を備えたフッ素系樹脂膜を、微細なデザイン・ルールにもとづく半導体装置の層間絶縁膜として形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

耐熱性の発現に寄与する分子構造を有する高分子化合物を溶媒に溶解させてなる液状組成物を該高分子化合物のガラス転移温度より低い第1の温度域でミスト化する第1工程と、前記ミスト化された液状組成物を、その温度を前記第1の温度域に維持しながら基板上へ輸送する第2工程と、前記基板上に前記高分子化合物の被膜を形成する第3工程とを有する絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 S