特許
J-GLOBAL ID：200903089205763763
光磁気記録媒体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-287271
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036142
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【構成】 光磁気記録媒体において、記録磁性層2を保護するために設けられる窒化シリコン膜3,4を、表面の比抵抗が1×10-2Ω・cm以下、表面粗度が0.8S以下のSiターゲットを使用して直流反応性スパッタリング法によって成膜する。【効果】 良好な光学特性を有する窒化シリコン膜が短時間に成膜され、光磁気記録媒体の製造効率,品質を向上することができる。
請求項（抜粋）：
希土類-遷移金属合金非晶質薄膜を記録材料とする記録磁性層と、窒化シリコン膜よりなる透明誘電体層を有する光磁気記録媒体において、上記窒化シリコン膜が、表面の比抵抗が1×10-2Ω・cm以下のSiターゲットを用いて直流反応性スパッタリング法により成膜された薄膜であることを特徴とする光磁気記録媒体。
IPC (3件)：
G11B 11/10
, C23C 14/06
, C23C 14/34
