特許

J-GLOBAL ID：200903089206171401

同期型半導体記憶装置

発明者： 濱本 武史 ,  川口 善也 ,  原 素子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-213950
公開番号（公開出願番号）：特開2000-048565
出願日： 1998年07月29日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 高速で列選択動作を行なうことができる同期型半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 コマンドデコーダ(3)は、内部クロック信号(CLK)と独立に外部からのコマンドを受けてデコードして、列アクセスモード指示信号を生成し、内部クロック信号CLKの立上がりで列アドレス活性化信号(CADE,SADE)を活性化する。内部列アドレス信号発生回路は、この列アドレス活性化信号(CADEおよびSADE)に従って外部からのアドレス信号から内部列アドレス信号を生成する。早いタイミングで、内部列アドレスが生成され、以降の列選択動作開始タイミングを早くすることができる。

請求項（抜粋）：

行列状に配列される複数のメモリセルを有するメモリアレイ、クロック信号に同期して、外部から与えられるアドレス信号を通過させるアドレス入力ゲート、前記アドレス入力ゲートの出力アドレス信号に従って、相補内部アドレス信号を生成するアドレス生成回路、前記アドレス生成回路からの相補内部アドレス信号に従って、前記メモリセルアレイの列を指定する列選択信号を生成する列選択信号生成回路を備える、同期型半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 11/407 ,  G11C 11/413 ,  G11C 11/408

FI (3件)：

G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 J ,  G11C 11/34 354 B

Fターム (15件)：

5B015AA07 ,  5B015BA02 ,  5B015BA08 ,  5B015BA62 ,  5B015CA02 ,  5B015CA03 ,  5B015CA04 ,  5B015EA02 ,  5B024AA15 ,  5B024BA15 ,  5B024BA18 ,  5B024BA21 ,  5B024BA29 ,  5B024CA07 ,  5B024CA17