特許

J-GLOBAL ID：200903089207789905

多結晶半導体の製造方法および製造装置

発明者： 奥野 哲啓
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-344136
公開番号（公開出願番号）：特開平9-183606
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 高品質、結晶学的に優れ、低いEPD値で特徴づけられる割れにくい半導体多結晶インゴットを再現よく、低コストで製造する。【解決手段】 半導体に対して不活性な雰囲気下で、るつぼ内に半導体材料を装入し、るつぼ内で半導体材料を加熱手段によって加熱融解し、るつぼ底部から熱を奪いながら融解材料を凝固させ、続いてるつぼを冷却し、凝固した半導体を冷却させる多結晶半導体の製造方法において、前記凝固工程で、半導体材料の熱放出量を周期的に変化させながら、半導体結晶の成長と焼なましとを交互に行わせることを特徴とする多結晶半導体の製造方法およびそのために使用する製造装置。

請求項（抜粋）：

半導体に対して不活性な雰囲気下で、るつぼ内に半導体材料を装入し、るつぼ内で半導体材料を加熱手段によって加熱融解し、るつぼ底部から熱を奪いながら融解材料を凝固させ、続いてるつぼを冷却し、凝固した半導体を冷却させる多結晶半導体の製造方法において、前記凝固工程で、半導体材料の熱放出量を周期的に変化させながら、半導体結晶の成長と焼なましとを交互に行わせることを特徴とする多結晶半導体の製造方法。

IPC (4件)：

C01B 33/02 ,  C30B 11/00 ,  C30B 29/06 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

C01B 33/02 E ,  C30B 11/00 Z ,  C30B 29/06 D ,  H01L 31/04 H