特許
J-GLOBAL ID：200903089212189282

微細凸凹パターンの形成方法および微細凸凹パターン形成基板

発明者：
平岡 俊郎

平岡 俊郎 について

, 
中西 務

中西 務 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-041259
公開番号（公開出願番号）：特開2005-230947
出願日： 2004年02月18日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】 微粒子の再配列と基板表面への固着とを両立して微細凸凹パターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 液体分散媒中に粒子が分散されてなる粒子分散液を準備する工程と、高分子を含有する捕捉層を、前記粒子の平均粒子径以下の層厚で基板上に形成する工程と、前記捕捉層のガラス転移温度以下の温度下で、前記粒子分散液を前記捕捉層上に塗布して塗膜を形成する工程と、前記捕捉層のガラス転移温度以下の温度下で、前記塗膜から前記液体分散媒を揮発させて、前記捕捉層上に前記粒子の堆積層を形成する工程と、前記捕捉層をガラス転移温度以上に加熱して、前記堆積層の最下層の粒子のみを前記捕捉層中に埋め込む工程と、前記粒子の堆積層を液体に浸漬して前記捕捉層中に埋め込まれていない粒子を除去し、前記最下層の粒子が前記捕捉層に配置されてなる単粒子層を形成する工程とを具備することを特徴とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
液体分散媒中に粒子が分散されてなる粒子分散液を準備する工程と、 高分子を含有する捕捉層を、前記粒子の平均粒子径以下の層厚で基板上に形成する工程と、 前記捕捉層のガラス転移温度以下の温度下で、前記粒子分散液を前記捕捉層上に塗布して塗膜を形成する工程と、 前記捕捉層のガラス転移温度以下の温度下で、前記塗膜から前記液体分散媒を揮発させて、前記捕捉層上に前記粒子の堆積層を形成する工程と、 前記捕捉層をガラス転移温度以上に加熱して、前記堆積層の最下層の粒子のみを前記捕捉層中に埋め込む工程と、 前記粒子の堆積層を液体に浸漬して前記捕捉層中に埋め込まれていない粒子を除去し、前記最下層の粒子が前記捕捉層に配置されてなる単粒子層を形成する工程と を具備することを特徴とする微細凸凹パターン形成方法。
IPC (6件)：
B82B3/00 ,  G02B5/18 ,  G11B5/706 ,  G11B5/714 ,  G11B5/84 ,  G11B5/855
FI (6件)：
B82B3/00 ,  G02B5/18 ,  G11B5/706 ,  G11B5/714 ,  G11B5/84 Z ,  G11B5/855
Fターム (31件)：
2H049AA03 ,  2H049AA07 ,  2H049AA13 ,  2H049AA31 ,  2H049AA37 ,  2H049AA41 ,  5D006BA04 ,  5D006BA06 ,  5D006BA08 ,  5D006BA11 ,  5D006BA19 ,  5D006CA01 ,  5D006DA03 ,  5D006DA04 ,  5D006EA01 ,  5D006FA02 ,  5D006FA06 ,  5D112AA03 ,  5D112AA05 ,  5D112AA14 ,  5D112AA24 ,  5D112BB02 ,  5D112BB04 ,  5D112BB05 ,  5D112BB06 ,  5D112BB08 ,  5D112BD01 ,  5D112CC01 ,  5D112CC13 ,  5D112GA02 ,  5D112GA28
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (11件)
全件表示
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM