特許

J-GLOBAL ID：200903089215964597

超平坦なシリコン半導体ウェ-ハ及び半導体ウェ-ハの製造方法

発明者： グイド・ヴェンスキ ,  ベルント・パッセル
出願人/特許権者： ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-145190
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012411
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 0.13μm以下の線幅を持つエレクトロニクス部品を作製するために半導体業界で使用する超平坦なシリコンウェーハを提供する。【解決手段】 半導体ウェーハの前記平坦度を左右する次の一連のプロセス工程:a)結晶から半導体ウェーハを切断する工程;b)研削プロセス工程により前記半導体ウェーハを平坦化する工程;c)エロージョン型エッチング、即ちプラズマアシストエッチングプロセスを利用することにより表面近くのダメージを受けた結晶領域を取り除く工程;d)局所分解能を持つプラズマアシストエッチングをする工程;及びe)前記半導体ウェーハに縞のないポリシングをする工程、を有すること方法により。最大で0.2μmのGBIR及び最大で0.13μmのSFQRmaxとして表される平坦度を有するシリコン半導体ウェーハを作製する。

請求項（抜粋）：

最大で0.2μmのGBIR及び最大で0.13μmのSFQRmaxとして表される平坦度を有することを特徴とするシリコン半導体ウェーハ。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 611

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 611 Z ,  H01L 21/302 L