特許

J-GLOBAL ID：200903089215977907

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 佐俣 秀一 ,  吉見 信
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-067375
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269225
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 本発明の課題は、半導体装置の高Q値化ひいては高速化に対応した、高い基板抵抗を示す半導体装置を提供することにある。【解決手段】 本発明は、シリコン基板1上に素子活性層3が形成されてなる半導体装置において、前記シリコン基板1の素子活性層以外の部分のドーパント濃度が1×1013cm-3以下であり、かつ酸素ドナー濃度が1×1013cm-3以下であることを特徴とする半導体装置である。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に素子活性層が形成されてなる半導体装置において、前記シリコン基板の素子活性層以外の部分のドーパント濃度が1×1013cm-3以下であり、かつ酸素ドナー濃度が1×1013cm-3以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

H01L 21/324 X ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/208 M

Fターム (13件)：

5F053AA12 ,  5F053AA14 ,  5F053AA19 ,  5F053BB13 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053KK03 ,  5F053KK10 ,  5F053PP03 ,  5F053RR20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-078536   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-190801   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭58-159334