特許
J-GLOBAL ID：200903089217329910
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-166392
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017269
出願日： 1997年06月23日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 水平放射角の大きな横モード制御構造のAlGaInP系半導体レーザ装置と、その製造方法を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板1上に、n型AlGaInPクラッド層2、活性層3、p型AlGaInPクラッド層4、 エッチングストッパー層5を形成し、その上のメサエッチングを施し光導波構造とする層を、活性層から離れるほどアルミ組成が小さくなるグレーデッドな組成、もしくは、複数の層をもっているp型AlGaInP層11とする。このp型AlGaInP層11をアルミ組成の大きいほどエッチング速度の速いエッチング液によりメサ形成することにより、メサ形状を台形から上下幅の同程度の形にすることができる。
請求項（抜粋）：
第1導電型基板上に、活性層と、この活性層をはさみ活性層よりも屈折率の小さなクラッド層とからなるダブルへテロ構造が形成されており、前記活性層の上側に隣接した第2導電型の第1のクラッド層は層厚が一様であり、この第1のクラッド層の上に、前記活性層より離れるにしたがってエッチングレートが遅く、しかも活性層よりもエネルギーギャップが大きくかつ屈折率の小さな少なくとも二層のストライプ状のメサ構造を有し、前記メサ構造の上部以外の部分に第1導電型もしくは高抵抗である半導体層を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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