特許

J-GLOBAL ID：200903089217542487

薄膜トランジスタ

発明者： 浜田 勉 ,  伊藤 久夫
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 阪本 清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-081483
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251705
出願日： 1992年03月04日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 半導体活性層としてアモルファスシリコンよりもバンドギャップの大きい透明材質からなる半導体を使用することで、入射光に影響されず、また開口率を増大させることができ、微細化が可能である薄膜トランジスタを提供する。【構成】 ガラス基板1上に形成された逆スタガ型薄膜トランジスタであり、半導体活性層3に導電性の低いITO膜を使用することで、入射光による光電流が発生せず、電荷の読み出しを正確に行うことができる薄膜トランジスタである。

請求項（抜粋）：

ゲ-ト電極とゲート絶縁膜とソ-ス電極とドレイン電極と半導体層とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層の伝導帯と価電子帯とのエネルギバンドギャップが3eV以上で、前記半導体層を透光性膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 27/14 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-173584