半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-152785
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345885
出願日： 1998年06月02日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】プラズマ処理における帯電でゲート絶縁膜の損傷を発生させない半導体装置を提供すること。【解決手段】 N型MOSトランジスタのゲート電極には保護素子が接続してある。保護素子は、MOSトランジスタのゲート電極とほぼ同じ又はそれ以上の面積のゲート電極を備え、その電極に隣接してN型拡散層を有する。一方のN型拡散層はMOSトランジスタのゲート電極に接続しており、他方のN型拡散層は半導体基板に接続している。これにより、プラズマを用いた配線エッチング時にMOSトランジスタのゲート電極に電荷が帯電したときは、保護素子のチャネルが導通し、ゲート電極に帯電した電荷を半導体基板に流すため、ゲート絶縁膜を損傷させることがない。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板上に形成されたMOSトランジスタのゲート電極に、該ゲート電極と前記半導体基板との間に形成された絶縁層の耐電圧より低い電圧で前記半導体基板に導通する保護素子を接続させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/08 102 H , H01L 29/78 301 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-253276
特開平4-369262
特開昭54-101294

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