特許

J-GLOBAL ID：200903089220195917

超電導薄膜限流器

発明者： 下畑 賢司 ,  中村 史朗
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-397948
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198577
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】 超電導薄膜素子内および素子間の電流分布を均一にして電流容量を増加させ、超電導破壊に対する性能を向上させる。【解決手段】 板状の基板11と、基板11上に形成された超電導膜12と、超電導膜12上に形成された常電導体13とを有する複数の超電導薄膜素子10を備え、超電導薄膜素子10を多角形状に配置し、並列に接続する。

請求項（抜粋）：

複数の超電導薄膜素子を備え、該超電導薄膜素子を多角形状に配置し、並列に接続したことを特徴とする超電導薄膜限流器。

IPC (2件)：

H01L 39/16 ZAA ,  H02H 9/02 ZAA

FI (2件)：

H01L 39/16 ZAA ,  H02H 9/02 ZAA B

Fターム (8件)：

4M114AA10 ,  4M114AA14 ,  4M114AA29 ,  4M114BB05 ,  4M114BB10 ,  5G013BA01 ,  5G013CA02 ,  5G013CA18