特許
J-GLOBAL ID:200903089222329805

バンプ付セラミックス基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-312568
公開番号(公開出願番号):特開平6-216195
出願日: 1992年10月09日
公開日(公表日): 1994年08月05日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、バンプ付セラミック基板のバンプの半田強度と耐半田性を両立させたバンプを提供するものである。【構成】 本発明は、基板1の一表面上に形成された導電材料と非導電材料を含む導電材料の少なくとも2層からなる外部取付用バンプにおいて、該バンプの基板近傍層2が75〜90重量%の導電材料からなり、該バンプの表面方向に導電材料の重量比率を増加し、該バンプ表面層3が99.5〜100重量%の導電材料からなるペーストを焼成してなることを特徴とするバンプ付セラミック基板である。
請求項(抜粋):
基板の一表面上に形成された導電材料と非導電材料を含む導電材料の少なくとも2層からなる外部取付用バンプにおいて、該バンプの基板近傍層が75〜90重量%の導電材料からなり、該バンプの表面方向に導電材料の重量比率を増加し、該バンプ表面層が99.5〜100重量%の導電材料からなるペーストを焼成してなることを特徴とするバンプ付セラミック基板。
IPC (2件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

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