特許

J-GLOBAL ID：200903089223554357

パターン形成方法

発明者： 林 明弘 ,  岩沢 晴生
出願人/特許権者： JSR株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-190444
公開番号（公開出願番号）：特開2004-037514
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】超微細加工が可能で、しかも耐ドライエッチング性、現像性、パターン形状等の基本物性に優れたレジストパターンが形成可能な、パターン形成方法を提供すること。【解決手段】(A)特定の繰り返し単位とを有するアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂、並びに(B)放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有してなる感放射線性樹脂組成物からなる膜厚20〜150nmの薄膜を基板上に形成し、放射線を照射し、現像することを特徴とする、パターン形成方法を提供する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される繰り返し単位と酸解離性基を含有する繰り返し単位とを有するアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂、並びに(B)放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有してなる感放射線性樹脂組成物からなる膜厚20〜150nmの薄膜を基板上に形成し、放射線を照射し、現像することを特徴とする、パターン形成方法。

IPC (2件)：

G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (2件)：

G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (12件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB45 ,  2H025DA08 ,  2H025FA17