不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：桑井清一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-277190
公開番号（公開出願番号）：特開平5-089688
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】不揮発性半導体記憶装置において、メモリセルが過剰消去状態となることを防止する。【構成】メモリセルアレイ114のそれぞれのメモリセルはフローティングゲート型電界効果トランジスタ(FAMOS)により構成されている。これらのFAMOSに対して消去動作を行う。ゲート電圧発生回路104から第1のゲート電圧(3.4V)と、第2のゲート電圧(1.0V)を順次出力させ、FAMOSの制御ゲートに、それぞれのゲート電圧を順次、印加する。該FAMOSに第1のゲート電圧を印加した場合には、該FAMOSはオン状態となり、かつ、第2のゲート電圧を印加した場合には、オフ状態となった場合に限り、該FAMOSは適正消去状態であると判断する。

請求項（抜粋）：

フローティングゲート型電界効果トランジスタを備えたメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、第1のゲート電圧と、該第1のゲート電圧よりも低い第2のゲート電圧とを発生させるゲート電圧発生回路と、上記フローティングゲート型電界効果トランジスタの閾値電圧を、上記第1のゲート電圧と、上記第2のゲート電圧と比較する比較動作を実行し、該閾値電圧が上記第1のゲート電圧以下、かつ、上記第2のゲート電圧以上である場合にのみ、該フローティングゲート型電界効果トランジスタを備えたメモリセルが適正消去状態であると判断し、確認信号を出力する検査回路と、を有する不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/06 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 309 C , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-137196
特開平3-130995
特開昭63-291297

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