特許

J-GLOBAL ID：200903089241450461

多層配線基板の製造方法

発明者： 橋本 晃
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-202844
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048269
出願日： 1991年08月13日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 多層配線基板のビアホール形成法にYAGレーザを用いることで直径100μm以下のビアホールを形成し、更にそのビアホール部の上下導体間の接続を安定させるものである。【構成】 多層配線基板の製造方法において、下部導体2を有するベース基板1の上面全体に絶縁層3を形成した後、前記絶縁層3の下部導体2上の部分にYAGレーザによりビアホール6を設け、その後前記絶縁層3上に前記ビアホール6を通して下部導体2に接続される上部導体5を形成するものである。

請求項（抜粋）：

下部導体を有するベース基板の上面全体に絶縁層を形成した後、前記絶縁層の下部導体上の部分にYAGレーザによりビアホールを設け、その後前記絶縁層上に前記ビアホールを通して下部導体に接続される上部導体を形成する多層配線基板の製造方法。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H05K 3/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-148195
  
• 特開昭62-274696
  
• 特開昭61-133695