特許
J-GLOBAL ID：200903089246591640
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-345425
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175210
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 ベース引き出し層とコレクタ埋込拡散層との間の寄生容量を減少すると共に、ベース抵抗及びベース/エミッタ接合容量を減少することを目的とする。【構成】 半導体基板31上に形成された第1導電型コレクタ層33上に第2導電型ベース層34,第1導電型エミッタ層35が順次積層形成され、第2導電型ベース層34に接続された第2導電型ベース引き出し層36及び第1導電型コレクタ層33に接続された第1導電型コレクタ埋込拡散層32が形成された半導体装置において、第2導電型ベース引き出し層36と第1導電型コレクタ埋込拡散層32との成す角度を90°〜270°にした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1導電型コレクタ層上に第2導電型ベース層,第1導電型エミッタ層が順次積層形成され、前記第2導電型ベース層に接続された第2導電型ベース引き出し層及び前記第1導電型コレクタ層に接続された第1導電型コレクタ埋込拡散層が形成された半導体装置において、前記第2導電型ベース引き出し層と前記第1導電型コレクタ埋込拡散層とが真性領域から互いに異なる単一方向に引き出され、前記第2導電型ベース引き出し層と前記第1導電型コレクタ埋込拡散層との成す角度を90°〜270°にしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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