特許
J-GLOBAL ID：200903089249193247
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-038777
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135597
出願日： 2000年02月16日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 ダイシング前に半導体装置内に書き込まれた情報が、ダイシング後に読み出されたり、改ざんされるのを防ぐこと。【解決手段】 半導体ウエハ20上に、記憶領域を内蔵するチップ領域21、半導体ウエハを切断するためのスクライブ領域24、記憶領域にデータを書き込むために外部から電気信号が供給されるパッド22、およびパッド22と記憶領域とを電気的に接続する引き出し配線23を形成する。その際、パッド22をスクライブ領域24内に形成する。そして、パッド22を介して記憶領域にデータを書き込んだ後、スクライブ領域24に沿って半導体ウエハを切断して半導体チップを得る。その切断の際にパッド22が一緒に切り落とされるか、または引き出し配線23がパッド22から切り離される。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ上に、スクライブ領域で分けられた複数のチップ領域を形成するとともに、各チップ領域内の記憶領域にデータを書き込むためのパッドを、引き出し配線を介して前記スクライブ領域に形成する工程と、前記パッドを介して前記記憶領域にデータを書き込む工程と、データの書き込み後に、前記スクライブ領域に沿って前記半導体ウエハを切断し、各チップ領域を半導体チップに分離する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, G06K 19/077
, G06K 19/07
H01L 21/78 Q
, G06K 19/00 K
, G06K 19/00 N
5B035AA04
, 5B035BB09
, 5B035CA01
