特許
J-GLOBAL ID：200903089252624526
化合物半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-286168
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129342
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 オーミックコンタクトの接触抵抗の低減化と安定化を図る。【構成】 オーミック電極であるソース電極28およびドレイン電極29を硫化物層33を介してアンドープAlInAsショットキー層26上に形成する。このように、表面順位密度の低い硫化物層33を介してオーミック電極を形成することによって、オーミックコンタクトの接触抵抗の低減化と安定化を図る。
請求項（抜粋）：
半導体層上に形成されてこの半導体層とオーミック接合によって対峙しているソース電極及びドレイン電極と、上記半導体層上に形成されてこの半導体層とショットキー接合によって対峙しているゲート電極とを有して、上記ソース電極とゲート電極との間に印加する電圧によってソース電極とドレイン電極との間の電流を制御する化合物半導体装置において、上記ソース電極の下及びドレイン電極の下に硫化物層を備えたことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/20
