特許

J-GLOBAL ID：200903089253123849

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： ト部 恭一
出願人/特許権者： 株式会社富士電機総合研究所
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-178712
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029560
出願日： 1992年07月07日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】成膜したCuInSe2 薄膜層の結晶粒界に存在するCuSe2 等の不純物、あるいは表面近傍に存在するIn、Cuの未結合手を除去して薄膜太陽電池の変換効率を向上させる。【構成】成膜したCuInSe2 薄膜層の表面にSを含む溶液、例えばアンモニア硫化物あるいはナトリウム硫化物の溶液を接触させてCuSe2 等の不純物を選択的にエッチングし、同時に表面にS被膜を形成してIn、Cuの未結合手とS原子を結合させることにより再結合中心を減らし、つづいてSおよびCdを含む溶液を用いた溶液成長法によりCuInSe2 と接合をつくるCdSを形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に電極層および銅インジウムダイセレナイド薄膜層を順次形成したのち、その銅インジウムダイセレナイド薄膜層の表面に硫黄を含む溶液を接触させて硫黄被膜を形成し、さらに硫黄およびカドミウムを含む溶液を接触させて硫化カドミウム薄膜層を形成することを特徴とする銅インジウムダイセレナイドと硫化カドミウム薄膜層との接合を有する薄膜太陽電池の製造方法。