特許
J-GLOBAL ID：200903089253542663
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-064219
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275626
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 同一基板上に配置される各素子同士の電磁波等のノイズによる干渉を防止し、集積度を向上させた半導体集積回路と提供することである。【構成】 導電性基板上に、半導体薄膜2を形成し、該半導体薄膜2に複数の素子を形成した半導体集積回路において、前記半導体薄膜上に形成された複数の素子のうち、1つまたは2つ以上の素子を含む領域を取り囲むように導電性膜3を前記導電性基板1面に達するように形成したことを特徴とする半導体集積回路。
請求項（抜粋）：
導電性基板上に、半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜に複数の素子を形成した半導体集積回路において、前記半導体薄膜上に形成された複数の素子のうち、1つまたは2つ以上の素子を含む領域の周囲を取り囲むように導電性膜を前記導電性基板面に達するように形成したことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/76
, H01L 27/04
