特許

J-GLOBAL ID：200903089260401579

フォトマスクブランクス及びフォトマスク

発明者： 田中 啓司 ,  原口 崇 ,  松尾 正
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-218778
公開番号（公開出願番号）：特開平11-125896
出願日： 1998年08月03日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】 露光光であるKrFエキシマレーザ光(波長248nm)及びArFエキシマレーザ光(波長193nm)での遮光パターン表裏の反射率を低く抑え、且つドライエッチング適正を有するフォトマスクブランクス及び高品質なフォトマスクを提供することにある。【解決手段】 透明基板11上に、ZrSi2 ターゲットなどを蒸発源としたスパッタリングや真空蒸着法などにより、ZrSi酸化膜からなる反射防止層12、ZrSi金属膜からなる遮光層13、ZrSi酸化膜からなる反射防止層14を順次成膜して両面低反射フォトマスクブランクス30を作製する。この両面低反射フォトマスクブランクス30の両面低反射遮光膜15上にレジストパターン16を形成し、レジストパターン16をマスクにして両面低反射遮光膜15をドライエッチング処理して両面低反射フォトマスク40を得る。

請求項（抜粋）：

露光光に対して透明な基板上に低反射遮光膜が形成されてなる低反射フォトマスクブランクスにおいて、前記低反射遮光膜がジルコニウムシリサイド金属膜とジルコニウムシリサイド酸化膜を順次積層して形成されていることを特徴とする低反射フォトマスクブランクス。

IPC (3件)：

G03F 1/14 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/14 F ,  G03F 1/08 K ,  H01L 21/30 502 P