特許
J-GLOBAL ID：200903089263890490
半導体ウエーハの酸化前処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-117476
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333917
出願日： 1993年05月20日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエーハの酸化前処理方法に関し、薄くて、しかも信頼性の高い熱酸化膜を形成することが可能な半導体ウエーハの酸化前処理方法の提供を目的とする。【構成】 半導体ウエーハ1上に半導体酸化膜を形成する際の半導体ウエーハ1の酸化前処理方法であって、該半導体ウエーハ1を弗酸により処理し該半導体ウエーハ1面の自然酸化膜を除去する工程と、該自然酸化膜の除去を終わった半導体ウエーハ1面に、酸素若しくは酸素を含むガスの減圧雰囲気2中において紫外線(UV)を照射し、該半導体ウエーハ1面に前記半導体酸化膜の下地となる初期酸化膜を形成する工程とを有するように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエーハ上に半導体酸化膜を形成する際の半導体ウエーハの酸化前処理方法であって、該半導体ウエーハを弗酸により処理し該半導体ウエーハ面の自然酸化膜を除去する工程と、該自然酸化膜の除去を終わった半導体ウエーハ面に、酸素若しくは酸素を含むガスの減圧雰囲気中において紫外線を照射し、該半導体ウエーハ面に前記半導体酸化膜の下地となる初期酸化膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体ウエーハの酸化前処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, C23C 14/10
, H01L 21/26
