特許
J-GLOBAL ID：200903089270322022
珪素質分析試料中の不純物高精度分析のための処理方法及びその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
赤野 牧子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-152871
公開番号（公開出願番号）：特開平7-333121
出願日： 1994年06月10日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 高集積化する半導体工業に用いられる珪素質中の不純物をpptオーダーで定量分析可能とするための汚染物混入を排除した前処理の提供。【構成】 密閉空間系を構成する密閉収容器内に、珪素質分析試料を載置した分析試料容器及び試料分解用溶液を、それぞれ接触させることなく隔離状態で収納した後、該収容器を加温し、珪素質分析試料を分解昇華させ、該分析試料容器内の残存物を回収することを特徴とする珪素質分析試料中の不純物高精度分析のための処理方法。上記方法に用いられる密閉空間系を構成する密閉収容器であって、少なくとも密閉可能な開放部を有し、内部に分析試料容器及び試料分解用溶液を収容すると共に、該分析試料容器を載置可能な段差が配設され、且つ、該段差が下部に収容貯留される該試料分解用溶液と所定の間隔を有する処理装置。
請求項（抜粋）：
密閉空間系を構成する密閉収容器内に、珪素質分析試料を載置した分析試料容器及び試料分解用溶液を、それぞれ接触させることなく隔離状態で収納した後、該密閉収容器を加温し、珪素質分析試料を分解昇華させ、該分析試料容器内の残存物を回収することを特徴とする珪素質分析試料中の不純物高精度分析のための処理方法。
IPC (3件)：
G01N 1/28
, G01N 1/36
, H01L 21/66
G01N 1/28 K
, G01N 1/28 Z
