特許

J-GLOBAL ID：200903089270399831

リエントリー形状コンタクト・ホールをコーティングまたは埋めるための堆積プロセス

発明者： シェン シウ ,  ホア ケウ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-325716
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264487
出願日： 1995年12月14日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】材料を堆積させて、半導体基板の表面内のホールをコンフォーマルにカバーないし埋めるための方法および装置。好適な方法は、該材料の第1の厚さを基板の表面上へコヒーレントに堆積するステップと;堆積された材料を逆スパッタリングして、コンタクト・ホールの側壁を堆積された材料でコートするステップと;該材料の第1の厚さが基板の表面上へ堆積された後、該材料の第2の厚さを基板の表面上へ堆積するステップと;該材料の第2の厚さを基板の表面上へ堆積しつつ、基板を加熱して、堆積されるべき材料のリフローを高めるステップとを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面の内に形成されたコンタクト・ホール内へ材料を堆積させる方法であって、該材料の第1の厚さを該基板の表面上へ堆積させて、該ホールを部分的に埋めるステップと;堆積された材料を逆スパッタリング(reverse sputtering)して、コンタクト・ホールの側壁を該堆積された材料でコートするステップと;前記材料の第1の厚さを基板の表面上へ堆積させた後、前記材料の第2の厚さを基板の表面上へ堆積させるステップと;前記材料の第2の厚さを基板の表面上へ堆積させつつ、該基板を加熱して、堆積されるべき材料(material being deposited)のリフローを高めるステップと、を含むことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

H01L 21/285 S ,  H01L 21/203 S