特許

J-GLOBAL ID：200903089273660492

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 小森谷 進 ,  永塚 俊治 ,  国吉 伸治 ,  前島 央 ,  入来 信行 ,  加藤 毅 ,  平沼 雅幸 ,  広井 高志
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-060995
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264409
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェハの縮小投影露光における露光量および焦点位置を線型に定量的に測定して管理する。【構成】 角部が対向する一対の抜きパターンおよび一対の残しパターンを半導体ウェハの段差の上および段差の底の各々に形成し、段差の上の残しパターンの角部の距離HAおよび抜きパターンの角部の距離HBと、段差の底の残しパターンの角部の距離LAおよび抜きパターンの角部の距離LBを測定し、HA+LA-HB-LBの値により、露光量が最適かどうかを定量的に判定し、HA+HB-LA-LBの値により、焦点位置が最適かどうかを線型に定量的に判定する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの主面に縮小投影露光装置を用いてパターンを転写する半導体集積回路装置の製造方法であって、第1の半導体ウェハの主面に前記縮小投影露光装置の光軸方向における高さが異なる段差を形成し、前記段差の上および前記段差の底の各々に、角部が対向した複数の検定パターンを転写し、前記検定パターンの前記角部間の距離を測定し、前記検定パターンと同時に前記半導体ウェハの主面に転写された製品パターンの評価結果と前記距離との相関関係に基づいて前記距離の管理値を決定するステップと、第2の半導体ウェハの主面に前記縮小投影露光装置の光軸方向における高さが異なる段差を形成し、前記段差の上および前記段差の底の各々に、角部が対向した複数の前記検定パターンを転写し、前記検定パターンの前記角部間の距離を測定し、前記距離と前記管理値とを比較することによって、前記第2の半導体ウェハの主面に前記検定パターンとともに転写された製品パターンの露光条件を検定して制御するステップとを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (4件)：

H01L 21/30 502 V ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 516 D ,  H01L 21/30 526 Z