特許

J-GLOBAL ID：200903089282194666

BGA型半導体装置の製造方法

発明者： 香月 謙治
出願人/特許権者： 株式会社三井ハイテック
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-150429
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326849
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 放熱性が良好で且つ信頼性の高いBGA型半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 形状の異なる二つの同一材料1,2を超音波接合により固着させて凹部を有する支持基板3を形成し、この凹部に半導体チップ8を固着搭載し、絶縁性テープ4に導体パターン5を形成したTAB基板を前記支持基板に固着した後、前記導体パターンと前記半導体チップとの電気的接続を行い、この半導体チップを覆うように前記凹部内に樹脂10を充填し、さらに前記絶縁性テープの表面側に形成した絶縁膜の孔を介して前記導体パターンに接続するように半田ボール12を配設したことを特徴とするBGA型半導体装置の製造方法である。

請求項（抜粋）：

平板状の銅材基板と、窓抜きされた銅材基板とを超音波接合により一体化して凹部を形成した支持基板を用意する基板形成工程と、前記支持基板の前記凹部に接着剤を介して半導体チップを固着する半導体チップ搭載工程と、絶縁性テープ上に導体パターンを形成してなるTAB基板を用意するTAB基板形成工程と、前記TAB基板を前記支持基板に固着し、前記半導体チップとの電気的接続を達成するTAB基板搭載工程と、前記支持基板の前記凹部内に前記半導体チップを覆うように樹脂を充填する半導体チップ樹脂封止工程と前記TAB基板の上層に、表面に複数の孔が穿設された絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に半田ボールを載せ、加熱により前記孔内の導体パターンと前記半田ボールとを固溶し、前記半田ボールを固着させるボール固着工程とを含むことを特徴とするBGA型半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 R ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 F