特許
J-GLOBAL ID：200903089286104726
電子部品の実装方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-275061
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102733
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】配線基板の配線導体層を被覆する金めっき層と半田等に含まれる錫とが脆弱な層状の金属間化合物を形成して接合の信頼性が低い。【解決手段】配線基板1の配線導体層3にニッケル、銅、もしくはこれらを主成分とする合金の少なくとも1種から成る1次めっき層6、パラジウムもしくはその合金から成る置換型の2次めっき層7、及び金もしくはその合金から成る3次めっき層8を順次被着させておき、加熱処理によって前記2次めっき層7及び3次めっき層8を低融点ロウ材5中に移動拡散させるとともに、1次めっき層6の表面にニッケル-錫または銅-錫の反応層9を形成させて配線導体層3に低融点ロウ材5を接合させるとともに低融点ロウ材5と電子部品4の電極4aとを反応接合させる。
請求項（抜粋）：
(1)絶縁基体の上面に配線導体層を有する配線基板を準備するとともに、前記配線導体層の少なくとも一部にニッケル、銅、もしくはこれらを主成分とする合金の少なくとも1種から成る1次めっき層、パラジウムもしくはその合金から成る還元型の2次めっき層、及び金もしくはその合金から成る3次めっき層を順次被着させる工程と、(2)前記配線基板上に下面に電極を有する電子部品を搭載するとともに各めっき層が被着されている配線導体層と電子部品の電極とを間に少なくとも錫を含有する低融点ロウ材を挟んで対向させる工程と、(3)前記低融点ロウ材を加熱処理し、前記2次めっき層及び3次めっき層を低融点ロウ材中に移動拡散させるとともに、1次めっき層の表面にニッケル-錫または銅-錫の反応層を形成させ、該反応層で配線導体層に低融点ロウ材を接合させるとともに低融点ロウ材と電子部品の電極とを反応接合させる工程とから成ることを特徴とする電子部品の実装方法。
IPC (5件)：
H05K 3/34 501
, H05K 3/34 507
, B23K 1/00 310
, B23K 1/00 330
, B23K101:42
H05K 3/34 501 F
, H05K 3/34 507 C
, B23K 1/00 310 A
, B23K 1/00 330 E
, B23K101:42
5E319AA03
, 5E319AB05
, 5E319AC18
, 5E319CC33
, 5E319GG03
