特許

J-GLOBAL ID：200903089291885582

バリア層の形成方法、およびこれにより形成されたバリア層を有する半導体装置

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-050256
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246212
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 TiN膜等のバリア層の成膜において、モホロジとステップカバレッジが良好で、塩素含有量が小さく成膜温度が低い形成方法、およびこれにより形成された金属膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 接続孔3を含む被処理基板上にプラズマCVD法によりTi膜等の金属膜4を形成し、この後に金属膜4を窒化して金属窒化膜5とする。この工程を複数回繰り返してもよい。【効果】 金属ハロゲン化物の還元反応と窒化反応を別工程でおこなうので、大過剰の水素を用いたプラズマCVDによる金属膜4の形成が可能である。したがって、金属膜4の塩素含有量は少なく、ステップカバレッジも良好である。

請求項（抜粋）：

金属ハロゲン化物および水素を含む混合ガスを用い、プラズマCVD法により被処理基板上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜に窒化処理を施して金属窒化膜に変換する工程を有することを特徴とするバリア層の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/90 A