特許

J-GLOBAL ID：200903089293352239

半導体構造体

発明者： ドナルド ビー.ドハーティ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-136917
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167701
出願日： 1995年06月02日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】 高誘電率コンデンサの製造における酸素含有誘電体の還元を防止すること。【構成】 VLSI製造工程に起因する酸素含有材料の還元は、この酸素含有材料を含む構造体内および/またはその近くに犠牲的酸素ソースを設けることによって防止される。これら犠牲的酸素ソースの存在により、酸素含有材料の近くでの酸素分圧(酸素活性度と均等)が高まり、よってその後の製造工程中の酸素分圧が、酸素含有材料の還元が生じる酸素分圧よりも低下することがなくなる。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板の上に設けられた導電性酸素ソース材料から構成された下方電極と、該下方電極の上に設けられた酸素含有誘電材料の層と、該層に接触する上方電極とを備えた構造体。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01G 4/10 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01G 4/10 ,  H01L 27/04 C