特許

J-GLOBAL ID：200903089293612672

固体検出器

発明者： 小川 正春
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-393525
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197884
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 光電荷対発生電極および光電荷対非発生電極を備えた固体検出器において、検出器内に入射した読取光が散乱することにより生じる画質の低下を軽減させる。【解決手段】 第1導電層21、記録用光導電層22、電荷輸送層23、読取用光導電層24、多数の線状電極26aからなる光電荷対発生電極26と、多数の線状電極27aからなる光電荷対非発生電極27とを備えた第2導電層25等からなる固体検出器20において、光電荷対非発生電極27の各線状電極27aの上面および下面に低反射率層40aおよび40bを設け、各線状電極27aにより反射される散乱光(読取光)を低減させる。

請求項（抜粋）：

記録光に対して透過性を有する第1の導電層と、前記記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層と、前記記録光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部と、読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層と、前記読取光に対して透過性を有する多数の線状電極からなる光電荷対発生電極と、多数の線状電極からなる光電荷対非発生電極とを備え、前記光電荷対発生電極の線状電極と前記光電荷対非発生電極の線状電極とが交互に配置された第2の導電層とをこの順に積層してなる固体検出器において、前記光電荷対非発生電極が、上面および/または下面に前記読取光に対して低い反射率特性を有する低反射率層を備えたものであることを特徴とする固体検出器。

IPC (4件)：

H01L 27/14 ,  G01T 1/24 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335

FI (5件)：

G01T 1/24 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 K ,  H01L 27/14 D

Fターム (27件)：

2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088GG25 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ31 ,  2G088KK32 ,  2G088LL09 ,  2G088LL11 ,  2G088LL12 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA15 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118DD01 ,  4M118GB18 ,  5C024AX12 ,  5C024AX17 ,  5C024CX03 ,  5C024CX37 ,  5C024CY47 ,  5C024DX04 ,  5C024GX07