特許

J-GLOBAL ID：200903089297885495

不揮発性読出し専用半導体記憶装置

発明者： 笠 靖
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 松本 眞吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-300905
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144280
出願日： 1991年11月16日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】本発明は、不揮発性読出し専用半導体記憶装置に関し、動作電源電圧の上限を向上させ、また、リテンションにより信頼性が低下するのを防止することを目的とする。【構成】半導体記憶装置の電源電圧VCCに応じた電圧を出力し、出力電圧VCC-ΔCが所定値以上になるのを制限する電圧制限回路2と、選択信号Sに応じて、電圧制限回路2の出力電圧VCC-ΔCをメモリセル1のコントロールゲートCGに供給する駆動回路3とを備えている。

請求項（抜粋）：

半導体表面とコントロールゲート(CG)との間にフローティングゲート(FG)が介在したMOSトランジスタからなるメモリセル(1)を備え、メモリセルの記憶内容がセンスアンプ(4)を介して読み出される不揮発性読出し専用半導体記憶装置において、該半導体記憶装置の電源電圧(VCC)に応じた電圧を出力し、出力電圧(VCC-Δ)が所定値以上になるのを制限する電圧制限回路(2)と、選択信号(S)に応じて、該電圧制限回路の出力電圧を該メモリセルのコントロールゲートに供給する駆動回路(3)と、を有することを特徴とする不揮発性読出し専用半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 481

FI (2件)：

G11C 17/00 309 D ,  H01L 27/10 434