特許

J-GLOBAL ID：200903089303130477

薄膜トランジスタの製造方法および液晶表示装置

発明者： 村田 康明 ,  芳之内 淳
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-205681
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070128
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 低抵抗なソース領域およびドレイン領域を形成する。【構成】 半導体薄膜としての微結晶Si膜205の上に形成されたキャップ膜206を通して微結晶Si膜205に、リンイオンと水素イオン208を注入してソース領域209aおよびドレイン領域209bを形成する。この時、イオンの注入加速エネルギーに対するキャップ膜206の材料および膜厚を選択し、水素原子の第2ピークをソース領域209aおよびドレイン領域209bに存在させるようにする。

請求項（抜粋）：

ソース領域およびドレイン領域を有する半導体薄膜の上にキャップ膜を形成する薄膜トランジスタの製造方法であって、周期律表III族イオンと水素イオンとを含むプラズマ源、または周期律表V族イオンと水素イオンとを含むプラズマ源からイオンを加速して、該キャップ膜を通して該半導体薄膜にイオンを注入し、水素原子の第2ピークを該半導体薄膜のソース領域およびドレイン領域に存在させる薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/78 616 L ,  H01L 21/265 L