特許

J-GLOBAL ID：200903089308521245

薄膜磁気ヘッドの製造方法、薄膜磁気ヘッド及び磁気記憶装置

発明者： 佐野 雅章 ,  北 芳明 ,  鳴海 俊一 ,  川辺 ▲隆▼ ,  府山 盛明 ,  成重 真治 ,  益田 賢三
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217590
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063016
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】 高周波領域での高記録密度化に適した高飽和磁束密度で、高比抵抗を有する磁性薄膜材料を持った薄膜磁気ヘッドを得る。【構成】 薄膜磁気ヘッドの磁気コアの製造をフレームめっき方法により行い、そのめっき浴は、その組成として、3.5g/l〜10g/l のNi++イオン、0.5g/l〜1.6g/lのFe++イオンを含み、かつ、Ni++とFe++とのイオン比(Ni++/Fe++) を6〜8となるように金属イオン濃度範囲が設定され、通常使用されている応力緩和剤及び界面活性剤を添加した溶剤を含んでpHが2.5〜3.5に設定されたNi-Fe合金薄膜の電気めっき浴であり、このめっき浴を用いて、電流密度を5mA/cm2〜30mA/cm2 の範囲に設定する。また、めっき浴中に、さらに、モリブデン酸ナトリウム、タングステン酸ナトリウム、及び、塩化クロームの少なくとも1つを単独あるいは混合して0.01g/l〜1.0g/lを含むようにする。

請求項（抜粋）：

記録・再生分離型磁気ヘッドの記録用の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記薄膜磁気ヘッドの磁気コアの製造をフレームめっき方法により行い、そのめっき浴は、その組成として、3.5g/l〜10g/l のNi++イオン、0.5g/l〜1.6g/lのFe++イオンを含み、かつ、Ni++とFe++とのイオン比(Ni++/Fe++)を6〜8となるように金属イオン濃度範囲が設定され、通常使用されている応力緩和剤及び界面活性剤を添加した溶剤を含んでpHが2.5〜3.5に設定されたNi-Fe合金薄膜の電気めっき浴であり、このめっき浴を用いて、電流密度を5mA/cm2〜30mA/cm2 の範囲に設定してめっき形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。

IPC (4件)：

G11B 5/31 ,  C25D 3/56 ,  C25D 7/00 ,  H01F 41/26

FI (4件)：

G11B 5/31 C ,  C25D 3/56 B ,  C25D 7/00 K ,  H01F 41/26