特許
J-GLOBAL ID：200903089309240410
多層配線形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007358
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198687
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 ポリイミド系樹脂からなる層間絶縁膜にスルーホールを形成するとき、スルーホールをレジストパターンを使って形成することにより、微細かつ任意のテーパーが付けられるスルーホールが形成できるとともに、工程の簡素化ができる多層配線形成方法を提供する。【構成】 第1配線2上のスルーホール部にレジスト4で逆テーパーの付いたレジストパターンを形成し、ポリイミド系樹脂3で被覆する。次いで、レジストパターンの最上部が露出するまでエッチングし、レジストを除去した後、あるいはポリイミド系樹脂3とフォトレジスト4のエッチングレートを利用して、レジストの全部が除去されるまでエッチングした後、第2配線5を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に配線とポリイミド系樹脂からなる多層配線を形成する方法において、下層の配線上に位置する上層の配線との接続部に凸状のレジストパターンを形成する工程と、前記下層の配線と凸状のレジストパターンをポリイミド系樹脂で被覆する工程と、前記ポリイミド系樹脂表面の一部を凸状のレジストパターンの最上部が露出するまでエッチングする工程と、前記露出した接続部の凸状のレジストパターンを除去する工程と、前記接続部が形成されたポリイミド系樹脂上に上層の配線を形成する工程を備えていることを特徴とする多層配線形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/302
, H01L 21/312
