特許
J-GLOBAL ID：200903089310863242
半導体集積回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-277479
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121687
出願日： 1991年10月24日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】本発明は、プログラム素子のプログラムに要するレーザエネルギーが小さく、救済回路の占有面積が小である半導体集積回路装置を提供することにある。【構成】新しいプログラム素子(P)は、非晶質シリコン半導体(12)で最終メタル配線以降に作製する。そのプログラムは、高抵抗の非晶質シリコンをレーザビーム照射(14)で多結晶化し、同シリコンに含まれる不純物を励起させて低抵抗化する。さらに半導体集積回路装置は本プログラム素子(P)内蔵の電流不良を救済する電源切替回路(24)を機能セル(20)の列、行もしくはブロック単位に配置構成する。【効果】本発明によればプログラム素子を形成するシリコン膜やAL配線の溶融がないので電源切替回路、不良セルの救済回路等を小型化できる効果がある。またプログラム素子が最終メタル配線上に形成できるため、周辺回路上もプログラム素子を配置できる利点を有する。さらに上記救済回路は小型であるため半導体集積回路装置に多く付加できる。従って、ウェーハ歩留まりが向上する。
請求項（抜粋）：
プログラム可能な半導体集積回路装置において、該装置のプログラム配線層がレーザ等の外部エネルギー照射により高抵抗状態から低抵抗状態に変化することで回路的に情報"0","1"を設定するプログラム素子であり、該プログラム素子が非晶質シリコン半導体で形成されたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
H01L 27/10 431
, G11C 17/02
, G11C 29/00 301
