トリアジンチオール誘導体の薄膜形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：丸岡裕作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-329030
公開番号（公開出願番号）：特開2003-129220
出願日： 2001年10月26日
公開日（公表日）： 2003年05月08日
要約：

【要約】【課題】薄膜形成を容易に行ない、かつ薄膜表面の機能性を維持しつつ薄膜の耐久性の向上を図った。【解決手段】固体表面に蒸着によりトリアジンチオール誘導体の薄膜を形成するとき、トリアジンチオール誘導体の1種または2種以上を固体表面に真空蒸着して積層薄膜を形成する蒸着工程と、積層薄膜が形成された固体に光照射してトリアジンチオール誘導体を重合する光重合工程とを備え、蒸着工程にて固体に磁場を印加した。

請求項（抜粋）：

固体表面に蒸着によりトリアジンチオール誘導体の薄膜を形成するトリアジンチオール誘導体の薄膜形成方法において、一般式【化1】(式中、R1 ,R2 は、夫々H,CH3 ,C2 H5 ,C4 H9 ,C6 H13,C8 H17,C10H21,C12H25,C18H37,C20H41,C22H45,C24H49,CF3 C6 H4 ,C4 F9 C5 H4 ,C6 F13C5 H4 ,C8 F17C6 H4 ,C10F21C6 H4 ,C6 F11C6 H4 ,C9 F17CH2 ,C10F21CH2 ,C4 F9 CH2 ,C6 F13CH2 CH2 ,C8 F17CH2 CH2 ,C10F21CH2 CH2 ,CH2 =CHCH2 ,CH2 = CH(CH2 )8 ,CH2 =CH(CH2 )9,C8 H17CH2 =C8 H16,C6 H11,C6 H5 CH2 ,C6 H5 CH2 CH2 ,CH2 =CH(CH2 )4 COOCH2 CH2 ,CH2 =CH(CH2 )8 COOCH2 CH2 ,CH2 =CH(CH2 )9 COOCH2 CH2 ,C4 F9 CH2 =CHCH2 ,C6 F13CH2 =CHCH2 ,C8 F17CH2 =CHCH2 ,C10F21CH2 =CHCH2 ,C4 F9 CH2 CH(OH)CH2 ,C6 F13CH2 CH(OH)CH2 ,C8 F17CH2 CH(OH)CH2 ,C10F21CH2 CH(OH)CH2 ,CH2 =CH(CH2 )4 COO(CH2 CH2 )2 ,CH2 =CH(CH2 )8 COO(CH2 CH2 )2 ,CH2 =CH(CH2 )9 COO(CH2 CH2 )2 ,C4 F9 COOCH2 CH2 ,C6 F13COOCH2 CH2 ,C8 F17COOCH2 CH2 ,C10F21COOCH2 CH2を示し、同じでも異なってもよい。Mは、Hまたはアルカリ金属を示す。)で示されるトリアジンチオール誘導体の1種または2種以上を固体表面に真空蒸着して積層薄膜を形成する蒸着工程と、該積層薄膜が形成された固体に光照射して上記トリアジンチオール誘導体を重合する光重合工程とを備え、上記蒸着工程にて上記固体に磁場を印加することを特徴とするトリアジンチオール誘導体の薄膜形成方法。

IPC (9件)：

C23C 14/12 , C08G 85/00 , C08J 5/18 CEZ , C09K 3/00 , C09K 3/00 112 , C23C 14/24 , C23C 14/58 , C03C 17/28 , C08L 87:00

FI (10件)：

C23C 14/12 , C08G 85/00 , C08J 5/18 CEZ , C09K 3/00 R , C09K 3/00 112 D , C09K 3/00 112 Z , C23C 14/24 N , C23C 14/58 C , C03C 17/28 A , C08L 87:00

Fターム (32件)：

4F071AA58 , 4F071AA61 , 4F071AG14 , 4F071AG15 , 4F071BB11 , 4F071BB12 , 4F071BC01 , 4G059AA08 , 4G059AC21 , 4G059AC22 , 4G059AC24 , 4G059AC30 , 4G059FA01 , 4G059FB01 , 4G059GA01 , 4G059GA04 , 4G059GA14 , 4G059GA15 , 4J031BA11 , 4J031BA15 , 4J031BB03 , 4J031BB04 , 4J031BC07 , 4K029AA02 , 4K029AA04 , 4K029AA09 , 4K029AA11 , 4K029BA62 , 4K029BC00 , 4K029CA01 , 4K029CA11 , 4K029GA00

引用特許：

審査官引用 (2件)

トリアジンジチオ-ル誘導体の被膜生成方法ならびに被膜成分の重合方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-230026 出願人：森邦夫, 濱田忠行, 柳田弘文, 阿部和夫
特許第2867688号

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