特許

J-GLOBAL ID：200903089314417867

化合物半導体発光装置

発明者： 船岡 千洋 ,  酒井 悟 ,  笹倉 賢 ,  園田 純一 ,  小林 静一郎
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-111578
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303456
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 発光層にInGaAlPを用い、製造装置のメンテナンス性に優れ、波長620nmよりも短波長の発光が可能な半導体発光装置を提供する。【解決手段】 第1導電型のGaAs基板の上に、第1導電型のIII-V族化合物半導体からなる下側クラッド層が形成されている。下側クラッド層の上に、x及びyを0<x<1かつ0<y<1としたとき、In<SB>x </SB>(Ga<SB>y </SB>Al<SB>1-y </SB>)<SB>1-</SB><SB>x </SB>Pからなる発光層が形成され、前記発光層の上第1導電型とは反対の第2導電型のIII-V族化合物半導体からなる上側クラッド層が形成されている。上側クラッド層と下側クラッド層のうち少なくとも一方のクラッド層が、Inを含まない2元系または3元系のIII-V族化合物半導体により形成される。一方のクラッド層は、それと同一のバンドギャップを有するInGaAlPよりも高い熱伝導率を有するかまたは低い抵抗率を有する。

請求項（抜粋）：

第1導電型のGaAs基板と、前記GaAs基板の上に形成され、第1導電型のIII-V族化合物半導体からなる下側クラッド層と、前記下側クラッド層の上に形成され、x及びyを0<x<1かつ0<y<1としたとき、In<SB>x </SB>(Ga<SB>y </SB>Al<SB>1-y </SB>)<SB>1-x </SB>Pからなる発光層と、前記発光層の上に形成され、前記第1導電型とは反対の第2導電型のIII-V族化合物半導体からなる上側クラッド層とを有し、前記上側クラッド層と下側クラッド層のうち少なくとも一方のクラッド層が、Inを含まない2元系または3元系のIII-V族化合物半導体により形成され、該一方のクラッド層と同一のバンドギャップを有するInGaAlPよりも高い熱伝導率を有するかまたは低い抵抗率を有する化合物半導体発光装置。