特許
J-GLOBAL ID：200903089315757068
透過電子顕微鏡用観察試料の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
和泉 良彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-391691
公開番号（公開出願番号）：特開2002-236080
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：
【要約】【目的】 凹部の加工時間を短くし、凸部の端部の欠けを小さくする。【構成】 非金属材料からなる固着材でダイヤモンド粒子を固着保持すると共に凹部20の幅よりも大きい厚さを有するダイヤモンドブレードを用い、ダイヤモンドブレードを保持具で保持し、ダイヤモンドブレードの外周部を保持具から半導体チップ13の厚さの2倍以内で突き出し、半導体チップ13の厚さよりも小さい切込量で切り込むと共にダイヤモンドブレードの一回の送り動作で半導体チップ13上の観察分析箇所に隣接する部分を研削加工し、凸部19と凹部20とを形成し、ダイヤモンドブレードを用い、半導体チップ13の厚さに相当する切込量で切り込んで半導体チップ13を切断し、凸部19と凹部20とからなる領域を切り出す。
請求項（抜粋）：
半導体チップから切り出され、観察対象となる観察分析箇所を含む凸部と、該凸部に隣接し上記凸部より厚さが小さい凹部とを有する透過電子顕微鏡用観察試料の作製方法において、非金属材料からなる固着材でダイヤモンド粒子を固着保持すると共に上記凹部の幅よりも大きい厚さを有するダイヤモンドブレードを用い、上記ダイヤモンドブレードを保持具で保持し、上記ダイヤモンドブレードの外周部を上記保持具から上記半導体チップの厚さの2倍以内で突き出し、上記半導体チップの厚さよりも小さい第1の切込量で切り込むと共に上記ダイヤモンドブレードの一回の送り動作で上記半導体チップ上の上記観察分析箇所に隣接する部分を研削加工し、上記凸部と上記凹部とを形成する研削工程と、上記研削工程後に、上記ダイヤモンドブレードを用い、上記半導体チップの厚さに相当する第2の切込量で切り込んで上記半導体チップを切断し、上記凸部と上記凹部とからなる領域を切り出す工程とを有することを特徴とする透過電子顕微鏡用観察試料の作製方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01J 37/20 Z
, G01N 1/28 G
, G01N 1/28 F
2G052AA13
, 2G052AD32
, 2G052AD52
, 2G052EC02
, 2G052EC18
, 2G052EC23
, 2G052FD20
, 2G052GA34
, 2G052JA07
, 2G052JA13
, 5C001BB07
, 5C001CC01
