特許

J-GLOBAL ID：200903089318823487

光電変換装置

発明者： 樋山 拓己 ,  藤村 大 ,  小泉 徹 ,  乾 文洋 ,  江口 智子 ,  櫻井 克仁
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-201060
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100798
出願日： 2001年07月02日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 斜め光による光電変換装置の誤動作、画質の劣化等を解決する。【解決手段】 基板8と、基板8表面に形成された少なくとも1つの単位画素9を有する受光領域と、受光領域を含む基板8上に形成された絶縁層4と、絶縁層4を基板8に対して垂直方向に貫通する複数の遮光体3からなる遮光体群2が単位画素9又は受光領域を囲むように形成されている。遮光体群2は周期的に配置された複数の遮光体3からなる遮光体列を有する。複数の遮光体列は互いに異なる位相で並んでいる。隣接する2つの単位画素間に複数の遮光体が配されている。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板表面に形成された少なくとも1つの単位画素を有する受光領域と、前記受光領域を含む前記基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層を前記基板に対して垂直方向に貫通する複数の遮光体からなる遮光体群が前記単位画素又は前記受光領域を囲むように形成されていることを特徴とする光電変換装置。

IPC (4件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H04N 5/335 U ,  H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 A ,  H01L 27/14 D

Fターム (22件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118FA06 ,  4M118GB06 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GB13 ,  4M118GB17 ,  4M118GB19 ,  5C024BX01 ,  5C024CX01 ,  5C024GX03 ,  5C024GZ37 ,  5C024GZ38 ,  5F049MA03 ,  5F049NA04 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049SZ10 ,  5F049UA13