特許

J-GLOBAL ID：200903089325309403

不揮発性電子メモリ装置

発明者： 高倉 信之
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 松本 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212429
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055601
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 集積度の高いFLOTOX型EEPROMの実現を可能とする不揮発性電子メモリ装置を提供する。【構成】 浮遊ゲート型MOSトランジスタ構造を備え、その浮遊ゲート直下の絶縁膜3の一部が薄層部分3aとなっていて、前記浮遊ゲート4に対するトンネル電流の出入が前記薄層部分3aを介してなされるようになっている不揮発性電子メモリ装置において、前記薄層部分3aがMOSトランジスタ構造のチャネル形成域CHの近傍に位置していることを特徴とする不揮発性電子メモリ装置。

請求項（抜粋）：

浮遊ゲート型MOSトランジスタ構造を備え、その浮遊ゲート直下の絶縁膜の一部が薄層部分となっていて、前記浮遊ゲートに対するトンネル電流の出入が前記薄層部分を介してなされるようになっている不揮発性電子メモリ装置において、前記薄層部分がMOSトランジスタ構造のチャネル形成域の近傍に位置していることを特徴とする不揮発性電子メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D