特許
J-GLOBAL ID：200903089332993000
化合物半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-050946
公開番号（公開出願番号）：特開平5-051295
出願日： 1991年03月15日
公開日（公表日）： 1993年03月02日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】単結晶基板上に化合物半導体薄膜を通常の成長温度でエピタキシャル成長させ、この後所定の温度条件下、所定の静水圧を印加してアニール処理を施し、続いて前記所定の静水圧より上下させた静水圧下での熱処理を少なくとも1回行ない、化合物半導体基板を製造する。【効果】単結晶基板上に成長させた化合物半導体薄膜の転位密度及び基板の反りを低減させることができ、結晶性が向上した化合物半導体基板を製造することができる。従って、結晶性のよい大面積の電子デバイス用化合物半導体基板を提供することが可能となる。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に化合物半導体薄膜をエピタキシャル成長させる化合物半導体基板の製造方法において、前記化合物半導体薄膜を通常の成長温度で成長させ、この後所定の温度条件下、所定の静水圧を印加してアニール処理を施し、続いて前記所定の静水圧より上下させた静水圧下での熱処理を少なくとも1回行なうことを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 25/16
, C30B 25/18
, H01L 21/205
