特許

J-GLOBAL ID：200903089337310806

薄膜フラックスゲート磁気センサ及びその製造方法

発明者： 務中 達也
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 西岡 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-038454
公開番号（公開出願番号）：特開平8-233927
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 基板と法線方向の磁界の測定ができる薄膜フラックスゲート磁気センサを提供する。【構成】 励振コイル51の電極5dを介して両磁性体コア2が磁気的に十分飽和する量の所定周波数の電流を流すと、基板1の法線方向の外部磁界が存在しない場合は、両磁性体コア2内の磁束のバランスが保たれているため、検出コイル52に生じる出力信号は0となるが、基板1の法線方向の外部磁界が生じると、両磁性体コア2内の磁束のバランスが崩れ、生じた外部磁界に応じた信号が検出コイル52の電極5d’から検出され、基板1の法線方向の磁界の検出が可能となる。

請求項（抜粋）：

基板上に積層した磁性体コアの周囲に形成された励振コイルおよび検出コイルよりなり、前記磁性体コアのB-H飽和特性が外部磁界によりシフトすることを利用して当該外部磁界を検出する薄膜フラックスゲート磁気センサにおいて、前記磁性体コアの周囲に絶縁層を介して開ループ状のコイルを多段に積層し、これらのコイル端部をそれぞれの絶縁層に穿設したコンタクトホールを介して接続することにより、前記励振コイルおよび検出コイルを形成したことを特徴とする薄膜フラックスゲート磁気センサ。

IPC (3件)：

G01R 33/05 ,  G01C 17/30 ,  H01L 43/00

FI (3件)：

G01R 33/05 ,  G01C 17/30 A ,  H01L 43/00