特許

J-GLOBAL ID：200903089344581076

半導体装置の層間絶縁膜構造およびその形成方法

発明者： 野口 修
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-243321
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083846
出願日： 1994年09月12日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 ポリシリコンとアルミニウム配線をBPSG膜で絶縁する際のトランジスタ特性、信頼性低下を防止する。【構成】 CVD法などによって基板1の表面にBPSG膜7を成膜するに先立ち、基板表面に不純物を含まないNSG膜6を形成する。BPSG膜7形成後は、リフロー処理によって基板表面を平坦化した後、同じチャンバ内でRTNを行い、SiN膜8をBPSG膜7上に被覆させる。NSG膜6によってリフロー時の不純物の基板、ポリシリコン2内への拡散がブロックでき、SiN膜8によって、BPSG膜7への水分吸着が防止され、トランジスタ特性の低下が防止される。また、リフローとRTNを同じチャンバ内で連続することによりプロセス間の水分吸着を低減することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の多結晶シリコンとアルミニウムを、不純物を含む酸化シリコン膜で絶縁するようにした半導体装置の層間絶縁膜構造において、前記酸化シリコン膜と多結晶シリコンとの間、および酸化シリコン膜と前記半導体基板との間に、不純物を含まない絶縁膜を形成するとともに、前記酸化シリコン膜上にシリコン窒化膜を被覆させたことを特徴とする半導体装置の層間絶縁膜構造。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318