特許

J-GLOBAL ID：200903089344807627

多孔質の誘電体層とエアギャップとを有する基板の製造方法、および基板

発明者： ロエル、ダーメン ,  フレヤ、イェー.アー.エム.フェルヘイデン
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  関根 毅
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-530867
公開番号（公開出願番号）：特表2007-523465
出願日： 2004年05月17日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：

金属ライン(8(i))の間および誘電体内にエアギャップを形成する方法である。方法は、デュアルダマシン(dual damascene)構造を得ること、拡散バリア層(10)を、平坦化された面に直接加えること、およびリソグラフィステップを行なうことからなり、これにより、金属ラインを、拡散バリア層の下に遮蔽する。任意として、金属ライン(8(i))間の大きな誘電体領域(6)のいくつかの部分も、遮蔽される。露出した拡散バリア層部分および下にある誘電体がエッチングされる。典型的には150〜450°Cの温度に加熱することにより、揮発性成分に分解することができる材料の層が加えられ、エッチングまたはCMPにより平坦化される。分解性生成物に対して透過性である誘電体層(20)が堆積され、その後、基板は加熱される。次いで、使い捨て層が分解し、透過性の誘電体層を通じて消滅し、その後に、金属ライン(8(i))および大きな誘電体領域の間に、エアギャップ(22)を残す。

請求項（抜粋）：

基板の製造方法であって、前記基板に、デュアルダマシン(dual damascene)構造を設けるステップを備え、前記構造は、金属層を備え、前記金属層上には、ビアが設けられた第1誘電体層が存在し、第2誘電体層が、前記第1誘電体層上に堆積され、かつ、前記第2誘電体層に、相互接続溝が設けられ、前記ビアおよび前記相互接続溝に、金属が存在し、前記金属は、上部を有する金属ラインを形成する、基板の製造方法において、 (a)拡散バリア層を、前記第2誘電体層の上および前記金属ラインの前記上部に堆積するステップと、 (b)前記金属ラインの前記上部に位置する前記拡散バリア層をそのまま残しながら、前記第2誘電体層および前記拡散バリア層の所定部分を除去するステップと、 (c)前記第1誘電体層および前記拡散バリア層のそのまま残された部分に、分解性層を設けるステップと、 (d)前記分解性層を、実質的に前記バリア層のそのまま残された前記部分まで平坦化するステップと、 (e)前記分解性層上に、多孔質の誘電体層を設けるステップと、 (f)前記分解性層を、前記多孔質の誘電体層を介して除去し、少なくとも1つのエアギャップを形成するステップと、 を備えることを特徴とする製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/522 ,  H01L 21/768

FI (1件)：

H01L21/90 N

Fターム (35件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033RR30 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT00 ,  5F033TT08 ,  5F033XX25