特許

J-GLOBAL ID：200903089347783052

エポキシ樹脂の製造方法

発明者： 平野 泰弘 ,  横田 明 ,  秋庭 真継 ,  中村 宏 ,  内藤 茂樹
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-104464
公開番号（公開出願番号）：特開平8-301974
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月19日
要約：

【要約】【目的】工程数が短く、生産性、経済性に優れ、加水分解性塩素が少なく、信頼性の高い半導体封止装置を与えるスチルベン系エポキシ樹脂の製造方法を提供すること。【構成】一般式(1) 【化1】(ここで、R1 〜R8 、X1 、X2 はそれぞれ独立に炭素数1〜6の鎖状または環状アルキル基、水素原子またはハロゲン原子を示す。)で表される1,1-ビス(ヒドロキシフェニル)-2-クロロエタン誘導体に、塩基性物質の存在下エピハロヒドリンを反応させ、一般式(2) 【化2】(ここでR1 〜R8 、X1 、X2 の定義は一般式(1)の場合と同じ。)で示されるエポキシ樹脂を得ることを特徴とするスチルベン系エポキシ樹脂の製造方法。

請求項（抜粋）：

一般式(1) 【化1】(ここで、R1 〜R8 、X1 、X2 はそれぞれ独立に炭素数1〜6の鎖状または環状アルキル基、水素原子またはハロゲン原子を示す。)で表される1,1-ビス(ヒドロキシフェニル)-2- クロロエタン誘導体に、塩基性物質の存在下エピハロヒドリンを反応させ、一般式(2) 【化2】(ここで、R1 〜R8 、X1 、X2 の定義は一般式(1)の場合と同じである。)で示されるエポキシ樹脂を得ることを特徴とするスチルベン系エポキシ樹脂の製造方法。

IPC (2件)：

C08G 59/06 NHJ ,  C08G 59/20 NHQ

FI (2件)：

C08G 59/06 NHJ ,  C08G 59/20 NHQ