特許
J-GLOBAL ID:200903089349333380

集積回路装置、電子回路機器、回路製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 金田 暢之 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-032047
公開番号(公開出願番号):特開2001-156260
出願日: 2000年02月09日
公開日(公表日): 2001年06月08日
要約:
【要約】【課題】 一部の回路は常時動作して一部の回路は適宜休止する集積回路装置の高性能化と省電力化とを両立させる。【解決手段】 ゲート絶縁膜130が最厚の第三トランジスタ123を高電圧で駆動し、ゲートリーク電流が微少な状態で高速に動作させる。ゲート絶縁膜130が最薄の第一トランジスタ121と最薄ではない第二トランジスタ122を低電圧で駆動し、第二トランジスタ122は常時動作させるが第一トランジスタ121は適宜休止させる。第二トランジスタ122はゲートリーク電流が微少な状態で低速に常時動作し、第一トランジスタ121はゲートリーク電流は微少でないが適宜休止しながら高速に動作するので、各トランジスタ121〜123が用途や性能に対応して最適化されている。
請求項(抜粋):
共通の電源電圧が供給される第一処理回路と第二処理回路とを具備していて動作モードとして稼働モードと待機モードとが切換自在な集積回路装置であって、前記第二処理回路は稼働モードと待機モードとの両方で電源電圧が供給され、前記第一処理回路は電源電圧の供給が稼働モードでは供給されて待機モードでは停止され、この動作モードに対応した前記第一処理回路への電圧供給を前記第二処理回路が制御し、前記第一処理回路が具備している第一トランジスタのゲート絶縁膜の膜厚より前記第二処理回路が具備している第二トランジスタのゲート絶縁膜の膜厚が厚いことを特徴とする集積回路装置。
IPC (4件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088
FI (2件):
H01L 27/04 P ,  H01L 27/08 102 C
Fターム (13件):
5F038AV06 ,  5F038CA03 ,  5F038CA05 ,  5F038DF08 ,  5F038DF11 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB16 ,  5F048BC06 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭63-105522
  • 特開昭63-236354

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